저자 : 이천규
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저자 소개
한국생산기술연구원 산업에너지연구부문 이천규 입니다. 반도체 공정용 칠러 기술, 혼합냉매 JT 냉동기술, 저온공학 등을 연구하고 있습니다.
학력 / 경력 정보
- 2005-2009기계공학 학사
- 2009-2011기계공학 석사
- 2012-2017기계공학 박사
- 2017-2018삼성전자 생산기술연구소 책임연구원
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- 전문분야해수담수화, 폐수처리, 제습 및 건조, 흡수 및 흡착시스템, 히트펌프 등
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- KITECH 생산기술 전문지 > 지속가능기술
- Volume 1(1); 2024
- Article
지속가능기술 2024;1(1):105-110. Published online: Jul, 22, 2024
반도체 공정용 초저온 냉동기술
- 이천규*, †, 이정길**, 김진만***, 차동안****
이천규
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* 한국생산기술연구원 지속가능기술연구소 산업에너지연구부문 / 선임연구원 / 041-589-8275 / cklee@kitech.re.kr / 주저자
** 한국생산기술연구원 지속가능기술연구소 산업에너지연구부문 / 수석연구원 / 041-589-8325 / jglee@kitech.re.kr / 참여저자
*** 한국생산기술연구원 지속가능기술연구소 산업에너지연구부문 / 선임연구원 / 041-589-8326 / jinmankim@kitech.re.kr / 참여저자
**** 한국생산기술연구원 지속가능기술연구소 산업에너지연구부문 / 수석연구원 / 041-589-8320 / cdongan@kitech.re.kr / 참여저자
초록
1. 서 론
반도체 식각공정은, 반도체 제조 공정 중 전공정의 대표적인 공정으로, 회로기판에 특정한 부분을 화학적 혹은 물리적으로 제거하는 공정을 의미한다[1]. 식각 공정은 습식 식각이나 화학적 식각에 기반한 등방성 식각(Isotropic etching)과 물리적 작용에 기반한 비등방성 식각(Anisotropic etching)으로 구분될 수 있다[1]. 비등방성 식각은 일반적으로 플라즈마 식각이 주로 적용되고 있으며, 높이와 너비의 비율이 30:1 이상인 고종 횡비 식각(High Aspect Ratio etching)이 가장 기술력이 요구되는 식각 공정으로 대두되고 있다 [2]. 극저온 식각공정 (Cryogenic Etching)은 식각 대상물의 온도를 -95℃ 이하로 낮춰 식각공정을 수행하는 공정을 의미한다[3]. 대상물의 온도를 낮추면, 식각 공정을 수행하고 난 부산물(By-product)이 웨이퍼 식각 면에 자체적으로 응결 및 보호(Passivation)를 수행할 수 있어, 고종횡비 식각의 효율성을 높인 공정이다[3]...
참고 문헌
- Nojiri, K., Dry Etching Technology for Semiconductors, Springer, Switzerland, (2015) 1~30
- Tandou,T., Kubo, S., Yokogawa, K., Negishi, N., Izawa, M., "Improving the etching performance of high-aspect-ratio contacts by wafer temperature control Uniform temperature design and etching rate enhancement", Precision Engineering, 44 (2016) 87-92.
- Dussart, R., Tillocher, T., Lefaucheux, P., Boufnichel, M., "Plasma cryogenic etching of silicon: from the early days to today's advanced technologies", J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (2014) 123001
- Mita, Y., et al. “Aspect Ratio Dependent Scalloping Attenuation in Drie and an Application to Low-Loss Fiber-Optical Switches”, in 19th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems. 2006.
- Fu, J., et al., “Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process”, Materials Science in Semiconductor Processing, 83 (2018) 186-191.
- Chang, B., et al., “DREM: Infinite etch selectivity and optimized scallop size distribution with conventional photoresists in an adapted multiplexed Bosch DRIE process”, Microelectronic Engineering, 191 (2018) 77-83.
- Mellhaoui, X., et al., “SiOxFy passivation layer in silicon cryoetching”, Journal of Applied Physics, 98(10) (2005) 104901.
- Antoun, G., et al., “The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon”, Japanese Journal of Applied Physics, 58(SE) (2019) SEEB03.
- Parasuraman, J., et al., “Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio”, Microelectronic Engineering, 113 (2014) 35-39
- Lee, C., Kim, S., Jeong, S., “Experimental investigation on a non-flammable mixed refrigerant Joule-Thomson refrigerator for a 100 K cooling temperature”, Applied Thermal Engineering, 246 (2024), 122822
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