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- KITECH 생산기술 전문지 > 지능화뿌리기술
- Volume 2(1); 2025
- Article
지능화뿌리기술 2025;2(1):13-18. Published online: Nov, 30, -0001
SiC 기반 전력 반도체 접합을 위한 Cu 소결접합 기술
- 손준혁* , 유동열** , 이소정*** , 고용호**** , 방정환*****, †
손준혁
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* 한국생산기술연구 / jhson@kitech.re.kr
** 한국생산기술연구원 / alpha0987@kitech.re.kr
*** 한국생산기술연구원 / flthwha27@kitech.re.kr
**** 한국생산기술연구원 / yonghoko@kitech.re.kr
***** 한국생산기술연구원 / nova75@kitech.re.kr / 교신저자
초록
본 연구에서는 Cu 마이크로 및 나노 분말 혼합비에 따른 5 종의 Cu 페이스트를 제작 하였으며, 소결 시간 및 Bi-modal Cu 페이스트에 따른 소결 접합부의 미세구조 변화 및 접합부의 기계적 강도를 평가하였다. 소결 공정 후 모든 조건에서 양호한 Cu 소결 접합부가 형성되었으며, 접합 시간이 10분으로 증가함에 따라 우수한 계면 특성 및 미세구조가 관찰되었다. 또한, 25:75 wt.%(1 ㎛ : 0.3 ㎛ Cu 분말) Cu 페이스트에서 가장 양호한 소결 접합부가 관찰되었으며, 가장 높은 전단강도가 측정되었다. 또한, 접합 시간, 압력, 온도가 증가 할수록 접합강도는 증가하였으며, 소결 압력은 소결 시간 및 온도에 비해 Cu 소결 접합부의 전단 강도에 더 큰 영향을 미친 것으로 판단된다.
키워드 Power semiconductors, Cu sintering, Bimodal Cu paste, Interfacial properties, Shear strength
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